据《日经新闻》报道个人配资平台，富士通将加入由日本科技投资者软银集团牵头的项目，共同开发用于人工智能和超级计算机的下一代存储器。日本希望借此重振其曾经的存储器生产技术，使其公司成为世界顶级存储器生产商之一。
软银新成立的 Saimemory 公司将作为该公私合作项目的指挥中心，与富士通和其他合作伙伴进行协调。
Saimemory 致力于开发高性能存储器，以替代目前通过堆叠 DRAM 芯片实现高带宽存储器 (HBM) 的高带宽存储器。该项目计划在 2027 财年前投资 80 亿日元（约合 5120 万美元）完成原型机的研发，并力争在 2029 财年前建立量产体系。
软银将在2027财年之前向Saimemory公司注资30亿日元。富士通和日本理研国家科学研究所将共同出资约10亿日元。预计日本政府也将通过支持下一代半导体研发的项目补贴部分费用。
富士通曾是日本一度世界领先的半导体产业的关键参与者。尽管这家日本科技集团已退出存储器生产领域，但它在大规模生产和质量控制方面拥有丰富的专业知识。
富士通持续研发节能型中央处理器，并与客户保持着紧密的合作关系。日本顶级超级计算机“富岳”就采用了富士通的产品。
Saimemory的目标是量产存储容量是HBM两到三倍、功耗仅为HBM一半的内存，价格与HBM持平甚至更低。该公司将采用英特尔和东京大学联合开发的半导体技术，并与新光电气工业株式会社和台湾力芯半导体制造股份有限公司合作进行生产和原型制作。
英特尔将提供底层堆叠技术，该技术是在美国国防高级研究计划局（DARPA）的支持下开发的。其关键特性在于，负责电源、计算和内存等功能的芯片采用垂直堆叠而非水平排列，从而增加了单个设备上可容纳的内存芯片数量，同时缩短了数据传输距离。
本项目还将采用东京大学等机构开发的有助于散热和流畅数据传输的技术。
Saimemory 将专注于知识产权管理和芯片设计，并将生产外包给外部公司。
随着生成式人工智能的普及，预计到2030年，日本所需的计算能力将比2020年增长300多倍。但日本半导体元件的自给率较低，导致供应不稳定和价格上涨等风险。
韩国企业占据了全球HBM市场约90%的份额。随着全球数据中心的蓬勃发展，高性能内存市场已被少数国家和企业所主导。
2000 年前后，日本企业相继退出存储器制造领域。1999 年后，由于存储器商品化和由此产生的激烈价格竞争，富士通在重组过程中逐渐停止了内部生产。
人工智能的出现或许正在改变行业格局。软银正着手建设自己的大型数据中心，而富士通则在研发用于数据中心和通信基础设施的CPU，目标是在2027年实现实际应用。
本文来源：半导体行业观察个人配资平台
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